No/VOL: 07/2017 Page no. 81
Authors: Paweł Górecki , Krzysztof Górecki , Janusz Zarębski :
Title: Badanie właściwości wybranych modeli tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką
Abstract: W pracy przeanalizowano właściwości wybranych literaturowych modeli tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką. Przedstawiono postać modelu tego elementu wbudowanego w programie SPICE oraz modelu zaproponowanego na stronie internetowej firmy International Rectifier. Za pomocą rozważanych modeli wyznaczono charakterystyki wybranego typu tranzystora IGBT pracującego przy różnych wartościach temperatury, a uzyskane wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów badanych tranzystorów wykonanymi przez Autorów. W oparciu o uzyskane wyniki badań, przedyskutowano zakres przydatności obu rozważanych modeli.
Key words: IGBT, SPICE, modelowanie, półprzewodnikowe przyrządy mocy.