No/VOL: 09/2023 Page no. 275
Authors: Magdalena Budnarowska , Jerzy Mizeraczyk :
Title: Symulacja wpływu polaryzacji zaburzającego impulsu EM na wartości pola elektromagnetycznego wewnątrz obudowy z otworem
Abstract: W artykule przedstawiono wyniki symulacyjnych badań numerycznych polaryzacji zewnętrznego subnanosekundowego impulsu elektromagnetycznego dużej mocy wytworzone przez silne pole elektromagnetyczne (EM) we wnętrzu metalowej obudowy komputerowej z otworem technologicznym. Symulacje numeryczne przeprowadzono w środowisku CST Studio. Zbadano wpływ dwóch polaryzacji zewnętrznego pola EM na wartości pola elektrycznego i magnetycznego wewnątrz obudowy komputerowej z otworem na USB. Przypadek polaryzacji pionowej oznacza, że wektor natężenia pola elektrycznego fali padającej jest skierowany prostopadle do dłuższych ścianek otworu, natomiast w przypadku polaryzacji poziomej wektor natężenia elektrycznego jest skierowany równolegle do dłuższych ścianek otworu. Przeprowadzono analizę zagrożenia jakie stanowi długotrwałe pole indukowane w obudowie komputerowej z otworem w porównaniu z czasem trwania zewnętrznego impulsu zaburzającego. Wniosek końcowy z symulacji: wartości amplitud natężenia pola elektrycznego wewnętrznych impulsów EM są wyższe dla polaryzacji pionowej. Wartości amplitud maleją odpowiednio dla polaryzacji pionowej i poziomej 100 i 250 razy w stosunku do amplitudy padającego impulsu płaskiej fali elektromagnetycznej.
Key words: elektromagnetyczny ultrakrótki impuls wysokiej mocy, skuteczność ekranowania, obudowa komputerowa z otwor