No/VOL: 12/2023 Page no. 70
Authors: Kazimierz Pluciński :
Title: Uwagi dotyczące interpretacji wyników pomiarów konduktywności struktur PCM na bazie GST w stanie reset w odniesieniu do pochodzenia dryfu konduktywności
Abstract: Dryf konduktywności struktur pamięci zmiennofazowych (PCM--Phase Change Memory) formowanych na bazie GST (Ge2Sb2Te5) w stanie reset utrudnia rozwój wielopoziomowych pamięci PCM i ich zastosowań. Pomimo intensywnych badań pochodzenie tego dryfu pozostaje niejasne. Przedstawione wyniki analizy na przykładzie modeli JMAK i Maxwella-Wagnera wskazują, że aktualna interpretacja wyników pomiarów konduktywności tych struktur może przyczyniać się do niejednoznaczności w określaniu pochodzenia dryfu ich konduktywności w tym stanie.
Key words: dryf konduktywności, chalkogenki, materiały Ge-Sb-Te, pamięć zmiennofazowa