No/VOL: 01/2017 Page no. 333
Authors: Piotr Czyż , Andrzej Reinke , Michał Michna :
Title: Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC
Abstract: W artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru rdzenia dławika wyjściowego, zapewniającą minimalizację jego objętości i masy.
Key words: tranzystory mocy, azotek galu (GaN), wysokoczęstotliwościowe przekształtniki DC/DC, dobór dławika wyjściowego.