No/VOL: 07/2019 Page no. 80
Authors: Jan Waśkiewicz :
Title: Pomiar współczynnika dyfuzji jonów tlenu w warstwie YBa2Cu3O7-x pamięci elektrorezystancyjnej
Abstract: W pracy podjęto próbę wyznaczenia współczynnika dyfuzji chemicznej jonów tlenu w cienkiej warstwie YBa2Cu3O7-x pamięci elektrorezystancyjnej w temperaturze pokojowej. Metodę pomiaru oparto na założeniu, że w procesie przełączania rezystancji próbki za pomocą impulsów prądowych występuje etap dyfuzji jonów tlenu w warstwie o skończonej grubości ze źródła zlokalizowanego przy jej powierzchni. Warstwą tą jest przyelektrodowa warstwa zubożona w tlen. Jej grubość wyznaczono doświadczalnie z charakterystyk amplitudowych stanów rezystancyjnych, natomiast stałą czasową dyfuzji otrzymano z pomiarów przebiegów relaksacji rezystancji. Otrzymana w pracy wartość 5,5•10-18 m2/s współczynnika dyfuzji jonów tlenu w YBa2Cu3O7-x jest co do rzędu wielkości zgodna z danymi literaturowymi uzyskanymi w podobnych warunkach.
Key words: nadprzewodniki wysokotemperaturowe, zjawisko pamięci elektrorezystancyjnej, warstwa zubożona, elektrodyfuzja jonów tlenu, współczynnik dyfuzji.