No/VOL: 02/2009 Page no. 75-78
Authors: Michał Lisowski , Krystian Krawczyk :
Title: Analiza wpływu rezystancji izolacji na dokładność wysokoomowych transferów Hamona
Abstract: Dokładność wysokoomowych transferów Hamona, stosowanych do porównywania rezystorów wzorcowych o dużych wartościach w stosunku 1:10 i 1:100, zależy głównie od upływności izolacji. Analiza wpływu rezystancji izolacji na dokładność tych transferów i opis sposobu minimalizacji wpływu prądów upływnościowych izolacji poprzez zastosowanie podwójnej izolacji są przedmiotem tej publikacji.
Key words: wzorce wysokich rezystancji, transfery Hamona, rezystancja izolacji, podwójna izolacja, analiza