No/VOL: 02/2010 Page no. 87
Authors: Piotr Chrzan , Marek Turzyński :
Title: Behawioralny model tranzystora IGBT
Abstract: W artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w układzie przerywacza szeregowego.
Key words: szerokopasmowe modelowanie, IGBT, symulacja komputerowa