No/VOL: 04b/2012 Page no. 76
Authors: Sebastian Giziewski :
Title: Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
Abstract: W referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają na budowę przekształtników o sprawności blisko 98%. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/μs powoduje problemy EMC oraz EMI.
Key words: falownik napięcia, SiC, JFET, węglik krzemu, sprawność.