No/VOL: 03/2015 Page no. 9
Authors: Jacek Rąbkowski , Roman Barlik :
Title: Ocena w trybie eksperymentu azotkowo-galowych tranzystorów typu GIT
Abstract: Artykuł przedstawia ocenę w trybie eksperymentu tranzystorów typu Gate Injection Transistor zbudowanych na bazie azotku galu (GaN). Autorzy prezentują wyniki testów dwupulsowych a także wyniki pomiarów układu półmostka obciążonego dławikiem. Wyniki wskazują na bardzo dobre parametry nowych przyrządów, charakteryzujących się niskimi stratami mocy nawet przy dużych częstotliwościach przełączeń (uzyskano 0.6% strat mocy przekształcanej przy 150kHz)
Key words: Azotek galu, tranzystor GIT, straty mocy, test dwupulsowy.