No/VOL: 10/2015 Page no. 170
Authors: Maciej Łuszczek , Marek Turzyński , Dariusz Świsulski :
Title: Modelowanie grafenowego tranzystora polowego do zastosowań w sensorach elektronicznych
Abstract: Przedstawiono model grafenowego tranzystora polowego (GFET). Zastosowana metoda symulacyjna pozwala poprawnie odtworzyć charakterystyki tranzystora GFET i badać efekt domieszkowania wywołanego przez czynniki fizyczne, chemiczne i biologiczne. Pojawienie się w układzie dodatkowego ładunku powoduje przesunięcie charakterystyki prądowo-napięciowej, co może być wykorzystane do pomiaru wielkości działającego czynnika zewnętrznego.
Key words: grafen, tranzystor polowy, GFET, sensor.