No/VOL: 03/2025 Page no. 166
Authors: Piotr Grzejszczak , Bartosz Nowatkiewicz :
Title: Modułowy synchroniczny przekształtnik DC/DC w technologii GaN o dużej obciążalności prądowej
Abstract: Przedstawiony niżej tekst opisuje proces projektowania oraz wyniki badań eksperymentalnych modułowego przekształtnika synchronicznego o charakterystyce obniżającej napięcie, zbudowanego przy użyciu miniaturowych tranzystorów MOSFET z azotku galu. Praca ma na celu analizę możliwości zastosowania tranzystorów GaN w układzie modułowym o dużej obciążalności prądowej, który może być zastosowany np. w niskonapięciowych magazynów energii. W pracy zbadano układ eksperymentalny pracujący z mocą 4 kW przy prądzie wyjściowym blisko 150A i częstotliwości przełączania 300 kHz.
Key words: tranzystory GaN, układ DC obniżający napięcie, wielogałęziowy przekształtnik synchroniczny, badania eksperymentalne.