Najstarsze czasopismo elektryków polskich. Ukazuje się od 1919 roku.

strona w języku polskim english page

Numer: 07/2017 Str. 81

Autorzy: Paweł Górecki , Krzysztof Górecki , Janusz Zarębski :

Tytuł: Badanie właściwości wybranych modeli tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką

Streszczenie: W pracy przeanalizowano właściwości wybranych literaturowych modeli tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką. Przedstawiono postać modelu tego elementu wbudowanego w programie SPICE oraz modelu zaproponowanego na stronie internetowej firmy International Rectifier. Za pomocą rozważanych modeli wyznaczono charakterystyki wybranego typu tranzystora IGBT pracującego przy różnych wartościach temperatury, a uzyskane wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów badanych tranzystorów wykonanymi przez Autorów. W oparciu o uzyskane wyniki badań, przedyskutowano zakres przydatności obu rozważanych modeli.

Słowa kluczowe: IGBT, SPICE, modelowanie, półprzewodnikowe przyrządy mocy.

wstecz