Numer: 07/2017 Str. 81
Autorzy: Paweł Górecki , Krzysztof Górecki , Janusz Zarębski :
Tytuł: Badanie właściwości wybranych modeli tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką
Streszczenie: W pracy przeanalizowano właściwości wybranych literaturowych modeli tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką. Przedstawiono postać modelu tego elementu wbudowanego w programie SPICE oraz modelu zaproponowanego na stronie internetowej firmy International Rectifier. Za pomocą rozważanych modeli wyznaczono charakterystyki wybranego typu tranzystora IGBT pracującego przy różnych wartościach temperatury, a uzyskane wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów badanych tranzystorów wykonanymi przez Autorów. W oparciu o uzyskane wyniki badań, przedyskutowano zakres przydatności obu rozważanych modeli.
Słowa kluczowe: IGBT, SPICE, modelowanie, półprzewodnikowe przyrządy mocy.