Numer: 01/2018 Str. 129
Autorzy: Krzysztof Przybyła :
Tytuł: Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC
Streszczenie: W artykule przedstawiono wyniki pomiarów mocy strat w obwodzie bramkowym dla tranzystorów MOSFET na bazie Si: APT5010JFLL, IXFN44N80P oraz APT40SM120J na bazie SiC. Pomiary były wykonywane w układzie falownika klasy DE w przedziale częstotliwości od 275 kHz do 525 kHz i przy napięciu zasilania falownika E=0 V i E=300 V. Wyniki pomiarów porównano z wynikami obliczeń mocy strat na podstawie danych katalogowych. Wykazano rozbieżności wyników i podano możliwe przyczyny.
Słowa kluczowe: straty mocy, MOSFET, obwód bramkowy, SiC