Numer: 03/2018 Str. 60
Autorzy: Marcin Kasprzak , Krzysztof Przybyła :
Tytuł: Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC
Streszczenie: W artykule przedstawiono wyniki porównania falowników klasy D-ZVS, 300 kHz i mocy ok. 20 kW. Falowniki zbudowano na tranzystorze CAS120M12BM2 (SiC, 138 A) oraz 5-ciu równolegle połączonych tranzystorach IXFN 44N80P (Si, 5x25 A). Falownik z SiC MOSFET w porównaniu do 5xSi MOSFET uzyskuje (8-26)% wyższą moc wyjściową, sprawność jest o 2% wyższa, moc sterowania obwodu bramkowego jest 2,5 razy niższa. Równoległe połączenie kilku Si MOSFET jest dopuszczalne w przypadku dużej mocy falownika, ok. 20 kW lub większej.
Słowa kluczowe: falownik klasy D-ZVS, SiC, MOSFET, równoległe połączenie