Przegląd Elektrotechniczny

Najstarsze czasopismo elektryków polskich. Ukazuje się od 1919 roku.

strona w języku polskim english page



Numer: 09/2018 Str. 29

Autorzy: Piotr Pokryszka , Bogdan Paszkiewicz :

Tytuł: Wpływ światła na rezystancję powierzchniową heterostruktury AlGaN/GaN

Streszczenie: Rezystancja powierzchniowa jest jednym z najczęściej wykorzystywanych parametrów elektrycznych wytworzonych cienkich warstw. Szczególną cechą rezystancji powierzchniowej jest jej skalowalność, którą często wykorzystuje się w ocenie jakościowej przyrządów półprzewodnikowych zaprojektowanych w różnej skali. W pracy przedstawiono wpływ pobudzenia UV na GaN. Na podstawie zaprezentowanej metody zbadano wpływ światła na rezystancję powierzchniową oraz uzyskano charakterystykę widmową heterostruktury AlGaN/GaN. Pomiary wykonano z wykorzystaniem struktury testowej typu Hall bar. Wzrost heterostruktury AlGaN/GaN uzyskano metodą MOCVD. Pomiary przeprowadzono w temperaturze pokojowej natomiast czynnikiem pobudzającym było światło z zakresu 280-640 nm. W pracy zbadano i omówiono zmianę rezystancji powierzchniowej w funkcji długości fali światła pobudzającego, analizowano również obecność głębokich poziomów w heterostruktorze AlGaN/GaN.

Słowa kluczowe: rezystancja powierzchniowa, głebokie poziomy energetyczne, MOCVD, heterostruktura AlGaN/GaN.

wstecz