No/VOL: 09/2018 Page no. 95
Authors: Kamil Kierepka :
Title: Jednoczesny, dwuczęstotliwościowy falownik do nagrzewania indukcyjnego o strukturze półmostka SiC MOSFET
Abstract: W artykule przedstawiono falownik napięcia o strukturze półmostka tranzystorowego SiC MOSFET wraz z dwuczęstotliwościowym szeregowo-równoległym obwodem rezonansowym. Przedstawiono sposób realizacji układu sterowania z cyfrowym modulatorem MSI zaimplementowanym do układu FPGA. Dokonano laboratoryjnego wyznaczenia charakterystyki sprawności drenowej badanego układu w funkcji mocy szyny DC metodą skalowania temperaturowego.
Key words: nagrzewanie indukcyjne, rezonans, jednoczesny falownik dwuczęstotliwościowy, SiC MOSFET.