Najstarsze czasopismo elektryków polskich. Ukazuje się od 1919 roku.

strona w języku polskim english page

Numer: 02/2019 Str. 123

Autorzy: Paweł Derkacz , Piotr Musznicki :

Tytuł: Sterownik bramkowy wraz z obwodem zabezpieczającym dedykowany do tranzystorów mocy GaN

Streszczenie: Poniższy artykuł prezentuje zaawansowany sterownik bramkowy do tranzystorów mocy GaN. Proponowane rozwiązanie zawiera zabezpieczenie nadprądowe/przeciwprzeciążeniowe z dwustopniowym wyłączaniem oraz umożliwia niezależne ustawienie czasu włączenia i wyłączenia tranzystora. Działanie sterownika zostało zbadane symulacyjnie i doswiadczalnie w układzie przekształtnika półmostkowego. Proponowane zabezpieczenie tranzystora zostało przetestowane w warunkach podwójnego pulsu z obciążeniem indukcyjnym (DPT).

Słowa kluczowe: półprzewodniki szerokoprzerwowe, tranzystory GaN, tranzystory mocy, zabezpieczenie przeciwprzeciążeniowe, układy impulsowe, obwód bramkowy

wstecz