Numer: 02/2019 Str. 123
Autorzy: Paweł Derkacz , Piotr Musznicki :
Tytuł: Sterownik bramkowy wraz z obwodem zabezpieczającym dedykowany do tranzystorów mocy GaN
Streszczenie: Poniższy artykuł prezentuje zaawansowany sterownik bramkowy do tranzystorów mocy GaN. Proponowane rozwiązanie zawiera zabezpieczenie nadprądowe/przeciwprzeciążeniowe z dwustopniowym wyłączaniem oraz umożliwia niezależne ustawienie czasu włączenia i wyłączenia tranzystora. Działanie sterownika zostało zbadane symulacyjnie i doswiadczalnie w układzie przekształtnika półmostkowego. Proponowane zabezpieczenie tranzystora zostało przetestowane w warunkach podwójnego pulsu z obciążeniem indukcyjnym (DPT).
Słowa kluczowe: półprzewodniki szerokoprzerwowe, tranzystory GaN, tranzystory mocy, zabezpieczenie przeciwprzeciążeniowe, układy impulsowe, obwód bramkowy