No/VOL: 08/2019 Page no. 160
Authors: Krzysztof Nowaszewski , Andrzej Sikorski :
Title: GaN HEMT jako łącznika dwukierunkowego w przekształtniku matrycowym
Abstract: Artykuł przedstawia badania GaN HEMT jako łącznika dwukierunkowego. Rozważania były prowadzone w celu zastosowania łącznika dwukierunkowego w przekształtniku matrycowym. Metoda 4-krokowej półmiękkiej komutacji została przeanalizowana i przebadana laboratoryjnie na przekształtniku 2-fazowym na 1-fazowy, który odwzorowuje wszystkie procesy komutacyjne w przekształtniku matrycowym. Został również poruszony problem błędnej detekcji znaku prądu wyjściowego oraz jego przerwania.
Key words: przekształtnik matrycowy, łącznik dwukierunkowy, GaN, półmiękka komutacja