Najstarsze czasopismo elektryków polskich. Ukazuje się od 1919 roku.

strona w języku polskim english page

Numer: 09/2019 Str. 157

Autorzy: Adam Szyszka , Mateusz Wośko , Regina Paszkiewicz :

Tytuł: Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si technikami mikroskopii ze skanującą sondą i oświetleniem

Streszczenie: W artykule przedstawiono wstępne wyniki charakteryzacji elektrycznych właściwości heterostruktur AlGaN/GaN, osadzonych na podłożu krzemowym, wykonane skaningową mikroskopią pojemnościową oraz mikroskopią potencjału powierzchniowego przy jednoczesnym wykorzystaniu pobudzania optycznego próbki. Dzięki takiemu podejściu osiągnięto rozdzielczość przestrzenną rzędu dziesiątki nanometrów (typową dla pomiarów SPM) lecz jednocześnie możliwe było uzyskanie znacznie większej ilości użytecznych informacji o właściwościach struktury.

Słowa kluczowe: azotek galu, AlGaN/GaN, skaningowa mikroskopia pojemnościowa, skaningowa mikroskopia potencjału powierzchniowego, SCM, SSPM, SPM

wstecz