Najstarsze czasopismo elektryków polskich. Ukazuje się od 1919 roku.

strona w języku polskim english page

Numer: 10/2019 Str. 154

Autorzy: Agnieszka Martychowiec , Norbert Kwietniewski , Mariusz Sochacki :

Tytuł: Przegląd metod czyszczenia powierzchni podłoży SiC

Streszczenie: Zapewnienie wysokiego poziomu uzysku produkcyjnego w technologii półprzewodnikowej wymaga opracowania poszczególnych procesów technologicznych wytwarzania przyrządu oraz wysokiej jakości podłoża. Podstawowymi wskaźnikami jakości podłoży półprzewodnikowych jest gęstość określonego rodzaju defektów oraz poziom czystości powierzchni podłoży przed kolejnymi procesami. W niniejszym komunikacie dokonano przeglądu obecnego stanu wiedzy na temat metod przygotowania i czyszczenia powierzchni węglika krzemu

Słowa kluczowe: węglik krzemu, SiC, przygotowanie powierzchni SiC, technologia półprzewodnikowa.

wstecz