Numer: 02/2021 Str. 60

Autorzy: Ryszard Kisiel , Piotr Śpiewak , Mirosław Kruszewski :

Tytuł: Technologia SLID w montażu GaN-on-Si do podłoży Cu

Streszczenie: Analizowano proces montażu chipów GaN-on-Si do podłoży Cu w oparciu o pasty Ag. Wykorzystano dwa zjawiska: zgrzewania dyfuzyjnego do połączenia między metalizacją montażową chipu Si i pastą Ag oraz zjawisko dyfuzji w fazie ciekłej (SLID – Solid-Liquid Interdiffusion) do połączenia między podłożem Cu a warstwą pasty Ag. Stosowano jeden profil temperaturowy: suszenie 70C&10min+ SLID 250C&5min oraz dyfuzję w fazie stałej 200C&60min. Uzyskano połączenie o dobrej adhezji (powyżej 10 MPa) oraz zadowalającej rezystancji cieplnej (ok. 0,05 K/W).

Słowa kluczowe: technologia SLID, montaż GaN-on-Si, Ag sintering, rezystancja cieplna

wstecz