Numer: 02/2022 Str. 133
Autorzy: Piotr Wiśniewski , Bogdan Majkusiak :
Tytuł: Modelowanie polowego tranzystora tunelowego InAs/Si z biwarstwą elektronowo-dziurową
Streszczenie: W niniejszej pracy przedstawiamy wyniki modelowania polowego tranzystora tunelowego Si/InAs z biwarstwą elektronowo-dziurową. W tym celu wykorzystaliśmy opracowany numeryczny symulator przyrządów bazujący na samouzgodnionym rozwiązaniu równań Poissona i Schrödingera. Prezentujemy analizę wpływu grubości kanału na charakterystyki prądowo-napięciowe. Pokazujemy, iż wykorzystanie heterostruktury w obszarze kanału przyrządu może dać dodatkową swobodę w konstruowaniu tranzystora tunelowego EHB TFET.
Słowa kluczowe: modelowanie numeryczne, tunelowanie, TFET, przyrządy półprzewodnikowe.