Numer: 09/2023 Str. 289
Autorzy: Damian Bisewski , Emilia Lubicz-Krośnicka :
Tytuł: Modelowanie stałoprądowych charakterystyk tranzystorów SiC-MOS mocy w programie SPICE
Streszczenie: Artykuł dotyczy problematyki komputerowego modelowania charakterystyk oraz parametrów tranzystorów MOS mocy wykonanych z węglika krzemu (SiC). W ramach realizacji pracy sformułowano oraz zaimplementowano w programie PSPICE autorski model rozważanego tranzystora, który bazuje na zmodyfikowanym modelu Shichmana-Hodgesa krzemowego tranzystora MOS. Opracowany model, w porównaniu do innych istniejących modeli tranzystora MOS wbudowanych w popularnych programach komputerowych, modeli firmowych, a także modeli opisanych w literaturze, cechuje się dużą dokładnością. Ponadto, zaproponowany model charakteryzuje się stosunkowo nieskomplikowaną budową, tzn. w zależnościach analitycznych opisujących ten model występuje zaledwie kilkanaście parametrów, których wartości można wyznaczyć korzystając z informacji zawartych w kartach katalogowych konkretnych typów tranzystorów albo na podstawie wyników pomiarów.
Słowa kluczowe: modelowanie, MOSFET, węglik krzemu.