Numer: 10/2023 Str. 220
Autorzy: Janusz Zarębski , Damian Bisewski , Krystian Kaczerski :
Tytuł: Modelowanie diod SiCPiN w programie SPICE
Streszczenie: W pracy przeprowadzono ocenę możliwości wykorzystania programu SPICE do modelowania charakterystyk statycznych oraz czasowych przebiegów w zakresie przełączania diod PiN wykonanych w technologii węglika krzemu (SiCPiN). Przedmiotem badań są dostępne komercyjnie diody SiCPiN firmy GeneSiC. Wykazano, że wykorzystanie w symulacjach firmowych wartości parametrów występujących we wbudowanym w programie SPICE modelu diody prowadzą do istotnych różnic ilościowych, a nawet jakościowych pomiędzy kształtem charakterystyk rozważanych przyrządów półprzewodnikowych otrzymanych z obliczeń i pomiarów. Przeprowadzona przez autorów estymacja wartości tych parametrów doprowadziła do znacznej poprawy wyników symulacji.
Słowa kluczowe: węglik krzemu, dioda PiN, modelowanie, SPICE