Numer: 10/2011 Str. 24
Autorzy: Mieczysław Nowak , Roman Barlik , Piotr Grzejszczak , Jacek Rąbkowski :
Tytuł: Diody Schottky’ego z węglika krzemu w falownikach napięcia z tranzystorami MOSFET- badania symulacyjne
Streszczenie: artykule, stanowiącym kontynuację tematyki z poprzedniej pracy zamieszonej w tym numerze, przedstawiono sposób tworzenia modeli symulacyjnych trójfazowych falowników z tranzystorami MOSFET i COOLMOS oraz z diodami zwrotnymi z węglika krzemu. Badania symulacyjne modeli o mocach 500 VA (100V) i 5000 VA (300V) ukierunkowano na określenie strat mocy we wszystkich przyrządach półprzewodnikowych z uwzględnieniem strat w stanach przewodzenia i łączeniowych. Wyniki przeprowadzonych badań porównawczych wskazują na poprawę efektywności energetycznej falowników z diodami zwrotnymi z węglika krzemu.
Słowa kluczowe: diody Schottky’ego z węglika krzemu, SiC, tranzystory MOSFET, COOLMOS, falowniki PWM.