Numer: 04b/2012 Str. 1
Autorzy: Marek Adamowicz , Jędrzej Pietryka , Sebastian Giziewski , Mariusz Rutkowski , Zbigniew Krzemiński :
Tytuł: Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia
Streszczenie: Zastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz laboratoryjnych opracowanego na Politechnice Gdańskiej dwustopniowego układu sterowania bramkowego ze sprzężeniem typu DC dla tranzystorów SiC JFET 1,2kV typu normally-off.
Słowa kluczowe: przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu, SiC JFET, dioda SiC Schottky, układy sterowania bramkowego.