Numer: 11b/2012 Str. 1
Autorzy: Adrian Krysiński , Andrzej Taube , Krystyna Gołaszewska , Mateusz Śmietana , Robert Mroczyński , Jan Szmidt :
Tytuł: Technologia i charakteryzacja struktur tranzystorów cienkowarstwowych (TFT)
Streszczenie: W niniejszej pracy przedstawiono wyniki prób opracowania technologii struktur tranzystorów cienkowarstwowych (TFT) opartych o warstwy wytwarzane metodą chemicznego osadzania z fazy lotnej wspomaganego plazmą (PECVD). Do najważniejszych zadań tej pracy należał wybór optymalnego procesu osadzania warstw dielektryka bramkowego oraz półprzewodnika amorficznego. Funkcje tych warstw pełniły, odpowiednio, warstwy tlenko-azotku krzemu (SiOxNy) oraz amorficznego krzemu (a-Si). Uzyskane wyniki charakteryzacji elektrycznej pierwszej serii wykonanych struktur testowych TFT pokazały duże możliwości opracowanej w IMiO PW technologii. Uzyskano napięcia progowe gotowych struktur tranzystorowych na poziomie UTH ~ 3 V, natomiast nachylenie charakterystyki prądowo-napięciowej w zakresie przedprogowym wyniosło SS ~ 400 mV/dec, co jest jednym z najlepszych wyników spotykanych w literaturze.
Słowa kluczowe: tlenko-azotek krzemu (SiOxNy), krzem amorficzny (a-Si), TFT, PECVD, charakteryzacja elektryczna.