Numer: 11/2006 Str. 1-8
Autorzy: Jacek Rąbkowski , Roman Barlik , Mieczysław Nowak :
Tytuł: Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC) i ich zastosowania w energoelektronice
Streszczenie: W artykule przedstawiono podstawowe właściwości węglika krzemu (SiC) jako nowego materiału przydatnego do budowy przyrządów półprzewodnikowych mocy, znajdujących zastosowanie w energoelektronice. Zaprezentowano wyniki badan laboratoryjnych łącznika półprzewodnikowego, złożonego z krzemowego tranzystora IGBT i diody Schottky’ego z węglika krzemu oraz łącznika, złożonego z krzemowego tranzystora IGBT i krzemowej diody szybkiej. Porównanie wyników tych badań wyraźnie wskazuje na korzystne właściwości węglika krzemu jako materiału półprzewodnikowego, który zastępując krzem, stwarza możliwości budowy układów energoelektronicznych o nieosiągalnych dotychczas właściwościach, takich jak wysoka gęstość mocy, małe gabaryty, wysoka sprawność energetyczna, wysoka temperatura pracy, niski poziom zakłóceń elektromagnetycznych, wysoka częstotliwość przełączeń.
Słowa kluczowe: Węglik krzemu, półprzewodnikowe przyrządy mocy, dioda Schottk’yego