Numer: 09/2013 Str. 165
Autorzy: Marek Suproniuk , Michał Pawłowski , Paweł Kamiński , Roman Kozłowski :
Tytuł: Modelowanie kinetyki fotoprzewodnictwa półizolującego GaAs
Streszczenie: Rozwój energetyki w dużej mierze zależy od właściwości materiałów półprzewodnikowych, z których wytwarzane są elementy układów przekształtników energoelektronicznych. Stosowane dotychczas elementy na bazie krzemu są obecnie wypierane przez elementy produkowane na bazie arsenku galu. Parametry nowego typu przyrządów silnie zależne są jednak od właściwości i koncentracji defektów punktowych sieci krystalicznej w tym materiale, które badane są metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. W artykule zaproponowano model i przeprowadzono analizę wpływu szybkości generacji par elektron-dziura na szybkość narastania koncentracji nadmiarowych nośników ładunku dla założonych właściwości i wartości koncentracji centrów defektowych w półizolującym GaAs.
Słowa kluczowe: kinetyka fotoprzewodnictwa, materiały półprzewodnikowe.