Numer: 10/2013 Str. 159
Autorzy: Mariusz Zdanowski , Jacek Rąbkowski , Marek Patoka , Roman Barlik :
Tytuł: Badania falownika napięcia z węglikowo – krzemowymi tranzystorami JFET o charakterystykach mieszanych
Streszczenie: W pracy omówiono problematykę strat mocy w elementach półprzewodnikowych z węglika krzemu (SiC) w zastosowaniu do jednofazowego falownika napięcia, charakteryzującego się wysoką sprawnością energetyczną. Na podstawie danych katalogowych poszczególnych przyrządów półprzewodnikowych (SiC JFET, SiC BJT i SiC MOSFET) w sposób analityczny wyznaczono straty mocy. Wyniki obliczeń porównano z wynikami badań modelu laboratoryjnego jednofazowego falownika o mocy S = 2 kVA.
Słowa kluczowe: jednofazowy falownik napięcia, węglik krzemu, tranzystory SiC JFET, SiC BJT, SiC MOSFET, straty mocy, sprawność energetyczna, zaburzenia elektromagnetyczne (EMI).