Numer: 09/2014 Str. 26
Autorzy: Piotr Firek , Grzegorz Głuszko , Lidia Łukasiak , Jan Szmidt , Andrzej Jakubowski , Mariusz Sochacki :
Tytuł: Charakteryzacja tranzystorów MISFET z bramką SiO2/BaTiO3 metodą pompowania ładunku
Streszczenie: W pracy zaprezentowano i przeanalizowano wyniki pomiarów tranzystorów MISFET wykorzystujących dwuwarstwowy dielektryk SiO2/BaTiO3. Pomiary wykonano przy użyciu metody pompowania ładunku. Stosowana metoda charakteryzacji posłużyła do weryfikacji wartości napięcia progowego tranzystora oraz gęstości pułapek powierzchniowych uzyskanych w oparciu o pomiar statycznych charakterystyk prądowonapięciowych (I-V) tranzystora.
Słowa kluczowe: metoda pompowania ładunku, wysoka przenikalność elektryczna, tranzystory MISFET, tytanian baru, gęstość pułapek.
Numer DOI: 10.12915/pe.2014.09.8