Numer: 09/2014 Str. 86
Autorzy: Krzysztof Piskorski , Henryk Przewłocki , Mietek Bakowski :
Tytuł: Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)
Streszczenie: W celu określenia schematów pasmowych struktur MOS wykonanych na podłożu z węglika krzemu SiC(4H) wykorzystano szereg technik charakteryzacji: elektrycznych, optycznych oraz fotoelektrycznych. Szczególnie przydatne są pomiary fotoelektryczne, które pozwalają na wyznaczenie wysokości barier potencjału na powierzchniach granicznych dielektryka, jak również pozwalają na określenie położenia energetycznego stanów powierzchniowych na granicy SiO2/SiC. Praca przedstawia wyniki pomiarów wykonanych na kondensatorach MOS z aluminiową bramką Al oraz z warstwą dielektryka wykonaną w dwóch różnych technologiach (chemiczne osadzanie i termiczne utlenianie).
Słowa kluczowe: struktura MOS, schemat pasmowy, stany powierzchniowe.
Numer DOI: 10.12915/pe.2014.09.24