Numer: 10/2014 Str. 203
Autorzy: Rafał Pietruszka , Grzegorz Luka , Bartłomiej Witkowski , Łukasz Wachnicki , Sylwia Gieraltowska , Konstanty Marszałek , Tomasz Stapiński , Marek Godlewski :
Tytuł: Opracowanie efektywnych metod domieszkowania warstw ZnO glinem w procesie ALD i optymalizacja tych warstw
Streszczenie: Warstwy tlenku cynku domieszkowanego atomami glinu ZnO:Al były wzrastane metodą osadzania warstw atomowych (ALD, z ang. A-atomic, L-layer, D-deposition). Na szklanych podłożach osadzono warstwy ZnO:Al (tzw. warstwa AZO) o grubości 200 nm. Temperatura osadzania warstwy AZO była równa 160 oC. Najlepsze parametry elektryczne oraz krystalograficzne otrzymano używając dwóch wysoko reaktywnych prekursorów cynku i glinu. Użyto diethylzinc jako prekursor cynkowy oraz trimethylaluminum jako prekursor glinowy. Otrzymane struktury wykazały wysoką transmisję oraz niskie rezystywności rzędu 10-3 Ωcm. Po optymalizacji procesu wzrostu warstw ZnO:Al testowano je jako przezroczyste elektrody do zastosowań fotowoltaicznych.
Słowa kluczowe: tlenek cynku, domieszkowanie, warstwy TCO, osadzanie warstw atomowych. (AR).
Numer DOI: 10.12915/pe.2014.10.49