Numer: 09/2015 Str. 1
Autorzy: Elżbieta Dąbrowska , Marian Teodorczyk , Ludwika Lipińska , Konrad Krzyżak , Andrzej Dąbrowski , Grzegorz Sobczak , Anna Kozłowska , Przemysław Matkowski , Anna Młożniak , Andrzej Maląg :
Tytuł: Zastosowanie tlenku grafenu i grafenu w technologii diod laserowych
Streszczenie: Wykazano, że tlenek grafenu na krawędziach bocznych chipa laserowego powoduje zmniejszenie rezystancji termicznej diody laserowej. Obserwowane jest również zmniejszenie temperatury samego chipa laserowego. Natomiast tlenek grafenu na n-kontakcie powoduje zwiększenie temperatury chipa. Na n-kontakcie korzystne jest zastosowanie grafenu. Pokazano przesuwanie się charakterystyk spektralnych przy zastosowaniu tlenku grafenu i grafenu, jak również zmiany ugięcia chipa laserowego w obecności tlenku grafenu i grafenu. Pomiary wykonano dla diod na pasmo 880 nm.
Słowa kluczowe: tlenek grafenu, grafen, dioda laserowa, charakterystyki spektralne, rezystancja termiczna, pomiary termowizyjne.