Najstarsze czasopismo elektryków polskich. Ukazuje się od 1919 roku.

strona w języku polskim english page

Numer: 09/2015 Str. 5

Autorzy: Bohdan Andriyevskyy :

Tytuł: Porównawcze badania przewodności cieplnej Si, GaN i SiC metodą dynamiki molekularnej

Streszczenie: Obliczono przewodność cieplną kryształów Si, SiC i GaN metodą odwrotnej nierównoważnej dynamiki molekularnej za pomocą programu Forcite przy potencjałach pól siłowych typu Universal z pakietu Materials Studio 7.0. Otrzymano i przeanalizowano zależności przewodności cieplnej kryształów w funkcji długości odpowiedniej superkomórki oraz gęstości. Ujawniono korelację stopnia hybrydyzacji drgań atomów Si i C w SiC oraz Ga i N w GaN, z jednej strony, a współczynnika przewodności cieplnej, z drugiej.

Słowa kluczowe: półprzewodniki, współczynnik przewodności cieplnej, dynamika molekularna.

wstecz