Numer: 09/2015 Str. 36
Autorzy: Daniel Gryglewski , Marcin Góralczyk , Szymon Sokół :
Tytuł: Wzmacniacz niskoszumny z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L
Streszczenie: W celu zbadania możliwości realizacji stopni wejściowych odbiorników mikrofalowych z wykorzystaniem technologii azotkowej skonstruowano wzmacniacz niskoszumny (LNA) z tranzystorem GaN HEMT wytworzony w projekcie PolHEMT. Zbudowany wzmacniacz stanowi także element weryfikacji opracowanej technologii GaN HEMT. W referacie opisano metodę modelowania szumowego tranzystora GaN HEMT oraz przedstawiono etapy projektowania wzmacniacza LNA na pasmo 1,1÷1,3 GHz.
Słowa kluczowe: wzmacniacz niskoszumny, mikrofale, GaN, HEMT, tranzystor, modelowanie, układy aktywne.