No/VOL: 09/2015 Page no. 109
Authors: Dawid Kuchta , Wojciech Wojtasiak :
Title: Wzmacniacz mocy z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L
Abstract: Jednym z zadań projektu PolHEMT jest aplikacja wytwarzanych struktur GaN HEMT w realnych układach mikrofalowych stosowanych w radiolokacyjnych modułach N/O. W referacie przedstawiono projekt i wyniki badań wzmacniacza z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo 1,3÷1,7 GHz o mocy wyjściowej 1 W.
Key words: wzmacniacz mocy, mikrofale, GaN, HEMT, tranzystor, modelowanie, moduł N/O, układy aktywne.