Przegląd Elektrotechniczny

Najstarsze czasopismo elektryków polskich. Ukazuje się od 1919 roku.

strona w języku polskim english page



Numer: 09/2015 Str. 211

Autorzy: Wojciech Wojtasiak , Wojciech Gwarek , Anna Piotrowska , Eliana Kamińska :

Tytuł: Parametry tranzystorów GaN HEMT – wyniki I etapu projektu PolHEMT

Streszczenie: Celem projektu PolHEMT jest opracowanie nowego typu tranzystora mikrofalowego na pasmo S z wykorzystaniem struktur AlGaN/GaN hodowanych na podłożach z półizolacyjnego monokrystalicznego GaN wytwarzanych metodą ammonotermalną (Ammono). Referat stanowi krótkie podsumowanie pierwszego etapu projektu w formie zestawienia parametrów elektrycznych struktur GaN PolHEMT i komercyjnych tranzystorów GaN HEMT produkowanych przez wiodące firmy.

Słowa kluczowe: mikrofale, GaN, HEMT, tranzystor, modelowanie, układy aktywne.

wstecz