Numer: 05/2018 Str. 70
Autorzy: Michał Gwóźdź :
Tytuł: Szerokopasmowe energoelektroniczne sterowane źródło napięcia ze stopniem mocy bazującym na tranzystorach GaN
Streszczenie: W pracy zaprezentowano energoelektroniczne sterowane źródło napięcia ze zmodyfikowanym modulatorem sigma-delta w bloku sterowania. Modulator zawiera komparator z dynamiczną pętlą histerezy zamiast, typowo stosowanego, komparatora „zatrzaskowego”. Dzięki temu rozdzielczość sygnału wyjściowego modulatora jest, teoretycznie, nieskończona. Z powodu znacznej wartości częstotliwości strumienia bitowego na wyjściu modulatora, w bloku wykonawczym użyto tranzystorów GaN. Planowanym polem zastosowań źródła napięcia jest sprzęt do testowania urządzeń elektrycznych dużej mocy. W pracy przedstawiono zasadę działania źródła oraz przedstawiono wybrane wyniki badań jego modelu symulacyjnego.
Słowa kluczowe: struktura przekształtnika, tranzystor GaN, modulacja impulsowa, generator napięcia wzorcowego.