Numer: 09/2018 Str. 44
Autorzy: Paweł Górecki :
Tytuł: Wpływ zjawisk cieplnych na parametry dynamiczne tranzystora IGBT
Streszczenie: W pracy przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych ilustrujących wpływ zjawisk cieplnych na parametry dynamiczne tranzystora IGBT. Zaprezentowano zastosowany układ pomiarowy oraz przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk i parametrów dynamicznych wybranego tranzystora IGBT typu STGF14NC60KD wyprodukowanego przez firmę ST Microelectronics pracującego w różnych warunkach. Przeanalizowano wpływ temperatury otoczenia oraz zjawiska samonagrzewania na przebieg charakterystyk dynamicznych tego tranzystora.
Słowa kluczowe: IGBT; samonagrzewanie; charakterystyki dynamiczne; parametry dynamiczne; przełączanie; pomiary.