Najstarsze czasopismo elektryków polskich. Ukazuje się od 1919 roku.

strona w języku polskim english page

Numer: 08/2019 Str. 160

Autorzy: Krzysztof Nowaszewski , Andrzej Sikorski :

Tytuł: GaN HEMT jako łącznika dwukierunkowego w przekształtniku matrycowym

Streszczenie: Artykuł przedstawia badania GaN HEMT jako łącznika dwukierunkowego. Rozważania były prowadzone w celu zastosowania łącznika dwukierunkowego w przekształtniku matrycowym. Metoda 4-krokowej półmiękkiej komutacji została przeanalizowana i przebadana laboratoryjnie na przekształtniku 2-fazowym na 1-fazowy, który odwzorowuje wszystkie procesy komutacyjne w przekształtniku matrycowym. Został również poruszony problem błędnej detekcji znaku prądu wyjściowego oraz jego przerwania.

Słowa kluczowe: przekształtnik matrycowy, łącznik dwukierunkowy, GaN, półmiękka komutacja

wstecz