Najstarsze czasopismo elektryków polskich. Ukazuje się od 1919 roku.

strona w języku polskim english page

Numer: 09/2019 Str. 115

Autorzy: Agata Jasik , Iwona Sankowska , Krzysztof Czuba , Dariusz Smoczyński :

Tytuł: Technologia MBE struktur fotorezystorów LWIR na bazie SL II rodzaju

Streszczenie: W artykule przedstawiono wybrane aspekty dwuetapowej optymalizacji supersieci II rodzaju InAs/GaSb stosowanych w konstrukcji fotodetektorów długofalowego promieniowania podczerwonego. Pierwszy etap miał na celu opracowanie wzrostu struktur periodycznych potwierdzonych badaniami dyfrakcyjnymi, natomiast drugi redukcję defektów punktowych na ich powierzchni. Zademonstrowano wpływ grubości obszarów międzyfazowych InSb na gęstość defektów oraz wpływ defektów na właściwości fotorezystorów. Uzyskano przyrządy o krawędzi absorbcji ok. 9,3 m pracujące bez chłodzenia kriogenicznego (do 225 K).

Słowa kluczowe: epitaksja z wiązek molekularnych, fotorezystory, supersieci II rodzaju InAs/GaSb, długofalowa podczerwień.

wstecz