Numer: 10/2019 Str. 169
Autorzy: Andrzej Straś , Krzysztof Jackiewicz , Tomasz Miazga , Tomasz Bałkowiec , Michał Gierczyński , Arkadiusz Kaszewski :
Tytuł: Modularny Przekształtnik Wielopoziomowy z Wykorzystaniem Półprzewodników z Azotku Galu
Streszczenie: W artykule opisano zagadnieniami związane z Modularnym Przekształtnikiem Wielopoziomowym wykonanym z wykorzystaniem tranzystorów HEMT z azotku galu (GaN). Przedstawiony został projekt obwodu silnoprądowego urządzenia oraz wymagania stawiane układowi sterowania. W publikacji przedstawiono również opis elektronicznej platformy sterującej dla przekształtnika.
Słowa kluczowe: modularny przekształtnik wielopoziomowy, tranzystory GaN, falownik napięcia, energoelektronika