Numer: 11/2019 Str. 5
Autorzy: Ryszard Kisiel , Mariusz Sochacki , Andrzej Taube , Marek Guziewicz :
Tytuł: Montaż struktur AlGaN/GaN na Si do podłoży DBC w oparciu o technologię SLID oraz zgrzewania dyfuzyjnego mikroproszkiem Ag
Streszczenie: Wykonano i zbadano układy połączeń chipów tranzystora HEMT AlGaN/GaN/(111)Si, metalizowanych warstwami montażowymi Cu, Ag lub Au, z podłożami DBC wykorzystując technologię SLID oraz technologię zgrzewania mikroproszkiem Ag. Siły adhezji połączeń chipów, w których zastosowano pośrednią galwaniczną warstwę (1 m)Sn, dobraną siłę nacisku, temperaturę 280oC i czas 30 min. dla procesu spiekania, są powyżej 22 MPa. Połączenie chipu ze spodnią metalizacją Ag zgrzewane z DBC poprzez mikroproszek Ag cechuje siła adhezji powyżej 22 MPa.
Słowa kluczowe: montaż, technologia połączeń SLID, DBC, HEMT, AlGaN/GaN/Si