Numer: 03/2025 Str. 166
Autorzy: Piotr Grzejszczak , Bartosz Nowatkiewicz :
Tytuł: Modułowy synchroniczny przekształtnik DC/DC w technologii GaN o dużej obciążalności prądowej
Streszczenie: Przedstawiony niżej tekst opisuje proces projektowania oraz wyniki badań eksperymentalnych modułowego przekształtnika synchronicznego o charakterystyce obniżającej napięcie, zbudowanego przy użyciu miniaturowych tranzystorów MOSFET z azotku galu. Praca ma na celu analizę możliwości zastosowania tranzystorów GaN w układzie modułowym o dużej obciążalności prądowej, który może być zastosowany np. w niskonapięciowych magazynów energii. W pracy zbadano układ eksperymentalny pracujący z mocą 4 kW przy prądzie wyjściowym blisko 150A i częstotliwości przełączania 300 kHz.
Słowa kluczowe: tranzystory GaN, układ DC obniżający napięcie, wielogałęziowy przekształtnik synchroniczny, badania eksperymentalne.