Najstarsze czasopismo elektryków polskich. Ukazuje się od 1919 roku.

strona w języku polskim english page

Numer: 09/2015 Str. 109

Autorzy: Dawid Kuchta , Wojciech Wojtasiak :

Tytuł: Wzmacniacz mocy z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L

Streszczenie: Jednym z zadań projektu PolHEMT jest aplikacja wytwarzanych struktur GaN HEMT w realnych układach mikrofalowych stosowanych w radiolokacyjnych modułach N/O. W referacie przedstawiono projekt i wyniki badań wzmacniacza z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo 1,3÷1,7 GHz o mocy wyjściowej 1 W.

Słowa kluczowe: wzmacniacz mocy, mikrofale, GaN, HEMT, tranzystor, modelowanie, moduł N/O, układy aktywne.

wstecz